Согласно техническим характеристикам, транзистор S8050 способен пропускать высокий коллекторный ток (IC до 500 мА), обладает отличной линейностью коэффициента HFE и имеет большую рассеиваемую мощностью (PC до 300 мВт). Он разработан специально для применения преимущественно в схемах двухтактного усиления класса B. Может использоваться и в других приложениях общего назначения.
Цоколевка
Цоколевка S8050 зависит от типа корпуса, в котором производится устройство. Такие транзисторы чаще всего производятся в упаковке SOT-32 для поверхностного монтажа на плату. Довольно редко можно встретить в пластиком ТО-92 или SOT-54. Распиновка двух вариантов исполнения показана на изображении ниже.
Современные версии устройства соответствуют последним европейским экологическим нормам RoHS, клеммы под пайку выпалены по стандарту MIL-STD-202 (Метод 208). Наличие в самом конце маркировки символов «G» и «L» указывает на применение при производстве безгалогенных и безсвинцовых технологий соответственно.
Абсолютные характеристики S8050
- мощность, рассеиваемая на коллекторе (PC) до 300 мВт;
- ток коллектора (IC) до 500 мА;
- напряжение коллектор-база (VCBO) до 40 В;
- напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) до 25 В;
- напряжение эмиттер-база (VCEO) до 5 В;
- температура кристалла (TJ) до +150 oC;
- температура складского хранения (TSTG) до +150 oC.
Более новые версии имеют улучшенные параметры. Например, у компании UNISONIC TECHNOLOGIES рассматриваемый транзистор, согласно datasheet, способен выдерживать более высокий ток коллектора (Ic до 700 мА). У аналогичных устройств китайских производителей CHENZHEN CITY KOO CHIN и BLUE ROCKET значение IC может достигать 800 мА.
Превышение вышеперечисленных параметров может привести к повреждению полупроводникового устройства. Не стоит эксплуатировать транзистор на предельных режимах. Для продолжительной работы изделия следует придерживаться номинальных (электрических) характеристик.
Классификация по HFE
Помимо превосходной линейности коэффициента усиления по току (HFE) у рассматриваемого изделия данный параметр имеет очень высокие значения. В технической документации приведены три группы классификации по HFE транзистора s8050: C (120~200), D (160~300), E (280~400). У наиболее распространенной версии величина HFE находится в диапазоне от 160 до 300 (в маркировке обычно присутствует символ D).
Комплементарная пара
В связи с тем, что S8050 разрабатывался как усиливающий транзистор, специально для него была спроектирована комплементарная пара S8550. Об этом указывается во всех datasheet. На базе данных полупроводниковых триодов собрано огромное количество схем усиления звукового сигнала для всевозможных портативных гаджетов.
Аналоги
У транзистора S8050 много современных аналогов, почти идентичных по своим электрическим свойствам и параметрам. В большинстве случаев, если не учитывать тип корпуса, его можно заменить на: ZTX457STZ, MPS650, MPS651, 2SC1008, 2SD471A, KSC1008, S9013, S9014, С9014, C9012. Из отечественных устройств в качестве подмены могут подойти, например: КТ814, КТ3117, КТ972 или КТ645.
Необходимо учитывать, что во многом условия подбора аналога для рассматриваемого изделия зависят от типа оборудования, в котором его необходимо менять. Если замена требуется в каскаде усиления, то из отечественных транзисторов может подойти КТ3102, в ключевых схемах — КТ502, а в цепях питания — КТ814.
Перед заменой необходимо разобраться с типом проводимости S8050. Дело в том, что иногда встречаются редкие версии подобных устройств с другой кремниевой структурой — не NPN, а PNP. Ознакомится с datasheet такого изделия можно по ссылке.
Производители и datasheet
По ссылкам с наименованием компании производителя можно скачать datasheet на S8050 в PDF-формате:
- UNISONIC TECHNOLOGIES ;
- SHENZHEN KOO CHIN;
- Daya Electric;
- HOTTECH.
