El transistor bipolar de silicio S8050 está diseñado para su uso en amplificadores push-pull de clase B de baja frecuencia y otros amplificadores de propósito general. También se utiliza en diversos módulos basados en Arduino, circuitos de control de LED, fuentes de luz y otros componentes electrónicos. Su estructura es n-p-n.
Diagrama de pines
Veamos el Diagrama de pines del S8050 en un encapsulado TO-92 para montaje en hueco y en un encapsulado SOT-23 con bisagras. En el segundo caso está marcado como J3Y. En la figura se puede ver cómo están dispuestas las patas del dispositivo en cuestión en ambas versiones.
Características
Empecemos por los valores máximos posibles, sobrepasar estos parámetros es inaceptable y conduce al fallo del transistor. Todas las características máximas del S8050 se midieron a temperatura ambiente +25°C, aquí están:
- tensión entre C-B VCBO (Ucb max) – 40 V;
- tensión entre C-E VCEO (Uce max) – 25 V;
- tensión entre E-B VEBO (Ueb max) – 5 V;
- corriente a través del colector IC (máx):
- en encapsulado SOT-23 IC (max) – 500 mA;
- en encapsulado TO-92 IC (max) – 700 mA.
- potencia, disipada en la unión del colector
- en encapsulado SOT-23 Pk 300 mW;
- 1 W en encapsulado TO-92
- temperatura admisible del cristal +150 °С;
- temperatura de funcionamiento de -55 a +150°C.
Otros parámetros importantes a los que hay que prestar atención son las características eléctricas. Se midieron a una temperatura de +25°C. Los demás valores se dan en una columna separada de la tabla, que se llama «Modos de medición».
Características eléctricas del transistor S8050 (a T = +25 °C):
| Parameter | Test Conditions | Symbol | MIN | TYP | MAX | UNIT |
| Tensión de ruptura colector-base | IC = 100μA, IE = 0V | V(BR)CВO | 40 | V | ||
| Tensión de ruptura colector-emisor | IC = 1mA, IB = 0V | V(BR)CEО | 25 | V | ||
| Tensión de ruptura emisor-base | IE=100μA, IC=0 | V(BR)EBO | 5 | V | ||
| Corriente de desconexión del colector | VCВ= 40V, IЕ = 0 | ICВO | 0,1 | μA | ||
| Corriente de desconexión del colector | VCE= 20V, IВ= 0 | ICEО | 0,1 | μA | ||
| Corriente de corte del emisor | VEB = 6V, IC = 0 | IEBO | 0,1 | μA | ||
| Ganancia de corriente DC | VCE=1 V,IC= 50 mA VCE=1 V, IC=500 mA | hFE1 hFE2 | 120 50 | 350 | ||
| Tensión de saturación colector-emisor | IC= 500mA, IB = 50mA | V CE(sat) | 0,6 | V | ||
| Tensión de saturación base-emisor | IC= 500mA, IB = 50mA | V ВE(sat) | 1,2 | V | ||
| Frecuencia de transición | VCE=6 V, IC= 20 mA, f=30 MHz | fT | 150 | MHz |
En función de la relación de transferencia de corriente, los transistores S8050 en encapsulado SMD J3Y se dividen en tres tipos:
- L de 120 a 200;
- H de 200 a 350;
- J de 300 a 400.
Equivalentes
El transistor S8050 puede sustituirse por equivalentes:
- 2SC1008, 2SC1009;
- 2SD471A, , KSC1008;
- KSP06, KSP42;
- KSP43, MPS650;
- MPS650G, MPS651;
- MPS651G, MPS6532;
- MPS8050, MPSA42;
- MPSA43, MPSW01;
- MPSW05, MPSW05G;
- MPSW06, MPSW06G;
- MPSW42, S9013;
- SS8050, ZTX457.
Existen equivalentes en ruso: KT6114A, KT968B, KT6114B, KT6114B.
El par complementario del dispositivo en cuestión es S8550. En encapsulado SMD está marcado como 2TY.
Fabricantes
Muchas empresas están involucradas en la producción del transistor S8050, datasheet de todos ellos se puede descargar en una sección especial en este enlace. Allí encontrará los documentos originales de cada componente en formato PDF.
