{"id":2673,"date":"2022-07-15T06:05:31","date_gmt":"2022-07-15T13:05:31","guid":{"rendered":"https:\/\/chipdatasheet.com\/%d0%b1%d0%b5%d0%b7-%d1%80%d1%83%d0%b1%d1%80%d0%b8%d0%ba%d0%b8\/transistor-bc547-diagrama-de-pines-equivalentes-y-caracteristicas\/"},"modified":"2023-08-08T09:07:33","modified_gmt":"2023-08-08T16:07:33","slug":"bc547-diagrama-de-pines-equivalentes","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/chipdatasheet.com\/es\/transistores\/bc547-diagrama-de-pines-equivalentes\/","title":{"rendered":"Transistor BC547: diagrama de pines, equivalentes y caracter\u00edsticas"},"content":{"rendered":"\n

Este art\u00edculo describe el transistor BC547 NPN, su diagrama de patillas, equivalentes y principios de funcionamiento, as\u00ed como su aplicaci\u00f3n en diversos dispositivos electr\u00f3nicos. Se presenta principalmente en un encapsulado TO-92 o TO-226 avanzado. La corriente de salida m\u00e1xima que puede manejar este dispositivo semiconductor es de 100 mA.<\/p>\n\n\n\n

Tambi\u00e9n tiene muy buena ganancia (hasta 800 hFE) y bajo ruido (hasta 10 dB), por lo que es ideal para etapas primarias de amplificaci\u00f3n de se\u00f1al. Su capacidad para operar en la banda de 300 MHz le permite denominarse de alta frecuencia. La tensi\u00f3n de saturaci\u00f3n t\u00edpica es de s\u00f3lo 90 mV, lo que supone una ventaja definitiva cuando se utiliza en circuitos como conmutador.<\/p>\n\n\n\n

Diagrama de pines \u0412\u0421547<\/h2>\n\n\n\n

El Bc547 apareci\u00f3 por primera vez en el mercado en abril de 1966, por cortes\u00eda de Philips (Holanda) y Mullard (Reino Unido). Fue un desarrollo conjunto del entonces popular bc107. Era id\u00e9ntico en sus caracter\u00edsticas, pero se fabric\u00f3 a diferencia del bc107 met\u00e1lico en una carcasa TO-92 sellada de pl\u00e1stico. Actualmente es el reemplazo actual de los antiguos BC107 o BC147, que se incluyen en muchos desarrollos de Mullard y Philips.<\/p>\n\n\n\n

El diagrama de pines del BC547 se analizar\u00e1 en el encapsulado TO-92 (TO-226AA), que tiene tres conductores flexibles para montaje en orificio. Mirando el bisel de frente, el prop\u00f3sito de estos pines es de izquierda a derecha: colector, base, emisor. La figura muestra el aspecto b\u00e1sico del dispositivo, que variar\u00e1 ligeramente en funci\u00f3n de la marca, pero las especificaciones y la asignaci\u00f3n de pines son id\u00e9nticas.<\/p>\n\n\n\n

\"Diagrama<\/span><\/figure>\n\n\n\n

Caracter\u00edsticas b\u00e1sicas<\/h2>\n\n\n\n

La datasheet<\/a> de bc547 suele incluir una descripci\u00f3n de transistores similares, en cuanto a caracter\u00edsticas, de la serie: BC546, BC548, BC549 y BC550. Parecido, pero no exactamente. Se diferencian entre s\u00ed. Por ejemplo, bc547 difiere en los voltajes umbral y est\u00e1 en la tabla de par\u00e1metros m\u00e1ximos entre bc546 y bc548. Adem\u00e1s, todos los tipos de dispositivos se dividen en grupos de factor m\u00e1ximo de amplificaci\u00f3n de corriente hFE- de A a C. El grupo \u00abA\u00bb tendr\u00e1 la menor ganancia y el \u00abC\u00bb, la mayor.<\/p>\n\n\n\n

\n

Bc547, bc548, bc549 son los mismos transistores fabricados en la misma l\u00ednea de producci\u00f3n. Durante el proceso de prueba justo antes de su lanzamiento, se clasifican como -7, -8 o -9 en funci\u00f3n de las mediciones de VBCO y VCEO y los componentes de ruido.<\/p>\n<\/blockquote>\n\n\n\n

Encontrar\u00e1 una descripci\u00f3n detallada en la datasheet del fabricante. Suele incluir una tabla de par\u00e1metros de funcionamiento y caracter\u00edsticas el\u00e9ctricas m\u00e1ximas permitidas, a las que el aparato es estable.<\/p>\n\n\n\n

L\u00edmites operativos<\/h3>\n\n\n\n

El fabricante indica los par\u00e1metros de funcionamiento m\u00e1ximos permitidos al principio de la datasheet. Incluyen los siguientes par\u00e1metros:<\/p>\n\n\n\n

    \n
  • VCEO<\/sub> -muestra la m\u00e1xima diferencia de potencial que se puede aplicar entre los contactos colector-emisor. Por ejemplo, el BC547 no es capaz de soportar m\u00e1s de 45 voltios, por lo que este valor se indica como la tensi\u00f3n de funcionamiento segura que debe aplicarse a la carga del colector.<\/li>\n\n\n\n
  • IC<\/sub> (max) es la corriente de colector m\u00e1xima que puede aplicarse a trav\u00e9s de las patillas colector-emisor. Para el bc547 no debe ser superior a 100mA, porque este valor ser\u00e1 el l\u00edmite de ruptura, por encima del cual el dispositivo se quemar\u00e1 con seguridad. As\u00ed que puedes ver que empieza a calentarse mucho antes incluso de alcanzar este l\u00edmite, ya a 60 mA. Por lo tanto, se recomienda utilizarlo a valores inferiores a la mitad de IC<\/sub> (m\u00e1x).<\/li>\n\n\n\n
  • PC<\/sub> (max) es la potencia m\u00e1xima de los dispositivos o la carga nominal que se puede conectar a trav\u00e9s de su colector-emisor. Este valor es bastante coherente e interrelacionado con IC<\/sub>(max) y es de 500 mW o medio vatio para todo el grupo.<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

    La adici\u00f3n \u00abmax\u00bb, en la designaci\u00f3n de los par\u00e1metros permitidos, indica sus valores m\u00e1ximos, pero a veces se omite en la descripci\u00f3n. La siguiente es una lista completa de los l\u00edmites de funcionamiento de bc547, tomada de la datasheet de Fairchild Semiconductor.<\/p>\n\n\n\n

    \"BC547<\/span><\/figure>\n\n\n\n

    Caracter\u00edsticas el\u00e9ctricas<\/h3>\n\n\n\n

    Veamos ahora los par\u00e1metros el\u00e9ctricos del bc547. El fabricante del dispositivo los enumera inmediatamente despu\u00e9s de la descripci\u00f3n de los valores l\u00edmite. En estas especificaciones, una columna separada (condici\u00f3n de prueba) indica los valores a los que el fabricante ha probado el dispositivo. Por lo general, las pruebas se realizan a temperaturas ambiente no superiores a 25 grados Celsius.<\/p>\n\n\n\n

    \"Caracter\u00edsticas<\/span><\/figure>\n\n\n\n

    Ganancia<\/h3>\n\n\n\n

    El transistor BC547 tiene una ganancia de corriente (hFE<\/sub>) bastante grande. El grupo \u00abC\u00bb, seg\u00fan la clasificaci\u00f3n hFE U, comienza en 420 y termina en 800. Estos valores son muy importantes para un bipolar y constituyen uno de los primeros criterios para su selecci\u00f3n. Aumentar el nivel de hFE<\/sub> simplemente asigna m\u00e1s sensibilidad a un dispositivo en particular, lo que significa que es capaz de arrancar con las corrientes de base m\u00e1s bajas pero aun as\u00ed conmutar cargas m\u00e1s pesadas a trav\u00e9s de su colector.<\/p>\n\n\n\n

    \"Clasificaci\u00f3n-NPN-BC547\"<\/span><\/figure>\n\n\n\n

    Par complementario<\/h2>\n\n\n\n

    El transistor de bajo ruido, agudizado para la amplificaci\u00f3n de se\u00f1ales d\u00e9biles de alta frecuencia, casi siempre tiene un complementario con otro tipo de conductividad y cercano en magnitud a la ganancia de hFE. Esto se debe al uso generalizado de este tipo de dispositivos en las etapas primarias de amplificaci\u00f3n del par. El par complementario con estructura PNP para ello es BC557.<\/p>\n\n\n\n

    BC547 Equivalentes<\/h3>\n\n\n\n

    Un equivalente moderno completo al transistor BC547 es el bc550. Adem\u00e1s, antes de buscar equivalentes, se recomienda consultar los vecinos de la datasheet con s\u00f3lo peque\u00f1as diferencias en los umbrales de tensi\u00f3n de ruptura: <\/p>\n\n\n\n

      \n
    • bc546;<\/li>\n\n\n\n
    • bc548;<\/li>\n\n\n\n
    • bc549.<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

      Algunos radioaficionados utilizan 2n3904, 2n4401, bc337, bc639, 2N3055, 2N2369, 2SC5200 como reemplazos.<\/p>\n\n\n\n

      Otro de los sustitutos m\u00e1s comunes es el transistor 2N2222. Tiene caracter\u00edsticas similares, incluidos el diagrama de pines y la carcasa. Las \u00fanicas diferencias son una mayor disipaci\u00f3n de potencia (hasta 625 mW), una corriente de colector de hasta 600 mA y unas capacitancias de entrada y salida ligeramente mayores. Las capacitancias de entrada y salida s\u00f3lo pueden afectar a los circuitos durante el funcionamiento a alta frecuencia. Thus, if more gain is needed, the 2n2222 can be used.<\/p>\n\n\n\n

      La serie de dispositivos KT3102, del fabricante de componentes electr\u00f3nicos \u00abIntegral\u00bb de Minsk, tambi\u00e9n ser\u00e1 adecuada para el reemplazo. Tambi\u00e9n hay equivalentes rusos del transistor BC547, entre los que se encuentran el KT3102G y el KT3102E, si se elige la ganancia (hasta 1000 hFE ), son incluso mejores que el BC547c. A continuaci\u00f3n figura una tabla de correspondencias para los distintos grupos de esta serie.<\/p>\n\n\n\n

      \"kt3102-analog-BC547\"<\/span><\/figure>\n\n\n\n

      Marcaje<\/h3>\n\n\n\n

      El BC547 fue desarrollado por Philips en 1966 en Holanda, por lo que su marcado corresponde al sistema europeo Pro Electron. La primera letra indica el tipo de semiconductor utilizado: \u00abB\u00bb para el silicio. La segunda letra indica la frecuencia de funcionamiento: \u00abC\u00bb baja potencia, baja frecuencia. A pesar de que es de alta frecuencia (hasta 300 MHz), el fabricante por alguna raz\u00f3n lo indic\u00f3 en el marcado como de baja frecuencia. La historia guarda silencio sobre las razones de esta designaci\u00f3n. A veces no escriben la primera letra de la designaci\u00f3n y entonces resulta: c547b, c547c, c547c, c547b.<\/p>\n\n\n\n

      Un poco sobre las normas<\/h3>\n\n\n\n

      Los fabricantes mejoran constantemente el proceso de fabricaci\u00f3n y pueden cambiar las caracter\u00edsticas especificadas, pero no deben ser inferiores a los valores registrados para bc457 en la norma Pro Electron. Por ejemplo, On Semiconductor tiene una potencia m\u00e1xima (a 25\u00b0C) de 625 mW, que es actualmente la m\u00e1s com\u00fan. En Philips, la ganancia hFE para el grupo \u00abB\u00bb oscila entre 220 y 475. Algunos fabricantes han aparecido para apoyar la corriente pulsada del colector (hasta 200 mA). Por lo tanto, consulte la datasheet antes de utilizar el dispositivo en sus proyectos.<\/p>\n\n\n\n

      C\u00f3mo funciona<\/h2>\n\n\n\n

      Cuando se aplica tensi\u00f3n de entrada a los terminales, empieza a fluir cierta corriente (IB<\/sub>) de la base al emisor y controla la corriente de colector (IC<\/sub>). La tensi\u00f3n entre base y emisor (VBE<\/sub>) para una estructura NPN debe ser directa. Es decir, se aplica un potencial positivo a la base y un potencial negativo al emisor. La polaridad de la tensi\u00f3n aplicada a cada patilla se muestra en la siguiente figura.<\/p>\n\n\n\n

      \"voltaje-polaridad-BC547\"<\/span><\/figure>\n\n\n\n

      La se\u00f1al de entrada se amplifica en la base y se transmite al emisor. Se utiliza una corriente menor en la base para excitar una corriente mayor entre el colector y el emisor (IC<\/sub>).<\/p>\n\n\n\n

      \n

      Los transistores de estructura n-p-n se denominan a veces dispositivos semiconductores con conductividad inversa.<\/p>\n<\/blockquote>\n\n\n\n

      Cuando el transistor est\u00e1 abierto, es capaz de pasar (IC<\/sub>) hasta 100 mA. Esta etapa se denomina regi\u00f3n de saturaci\u00f3n. En esta fase, la tensi\u00f3n admisible entre el colector y el emisor (VBE<\/sub>) puede ser de unos 200 mV, y la VBE<\/sub> puede alcanzar los 900 mV. Cuando la corriente de base deja de fluir, el transistor se apaga completamente, esta etapa se denomina regi\u00f3n de corte, y la VBE<\/sub> ser\u00e1 de unos 650 mV.<\/p>\n\n\n\n

      Aplicaciones<\/h2>\n\n\n\n

      Se utiliza ampliamente en modo de control y amplificaci\u00f3n, en diversos circuitos de control de controladores de rel\u00e9s, LED, motores, as\u00ed como en circuitos de amplificaci\u00f3n de se\u00f1ales de baja y alta frecuencia. En el v\u00eddeo se pueden ver ejemplos de esquemas y formas de crear dispositivos sencillos, el m\u00e9todo de montaje montado. Proporciona informaci\u00f3n sobre las posibilidades de utilizar el BC547 en algunos proyectos: apagado retardado con sus propias manos, iluminaci\u00f3n autom\u00e1tica, luz estrobosc\u00f3pica LED, el sistema de alarma m\u00e1s sencillo y un amplificador de sonido.<\/p>\n\n\n\n

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